日前，晶能光电宣布成功制备了红、绿、蓝三基色硅衬底GaN基Micro LED阵列，在Micro LED全彩芯片开发上迈出了关键的一步。据了解，微米尺寸的Micro LED制备已经脱离了普通LED工艺，进入了IC制程。而大尺寸硅衬底GaN晶圆具有低成本、兼容IC制程、易于衬底剥离等核心优势，已成为Micro LED制备的主流技术路线之一。国际上，Aledia、Plessey、ALLOS 、STRATACACHE等企业均专注于硅衬底Micro LED的研发，主要消费电子产业巨头更是在这一领域投入大量资源，以期在AR、VR等可穿戴设备的巨大市场中抢占先机。从Micro LED技术层面上看，Micro LED走向大规模应用要求高良率和高光效的红绿蓝三基色MicroLED芯片。目前，绿光和蓝光的GaN材料体系已经成熟，能够满足Micro LED制程开发的要求，而红光Micro LED技术难点则仍是Micro LED制程中的一大阻碍。据了解，传统的红光AlInGaP体系因为其材料较脆和侧壁上非辐射复合严重，面临着良率和光效两方面的重大技术瓶颈。因此，InGaN基红光LED，尤其是大尺寸硅衬底上的InGaN基红光LED被寄以厚望。近年来，海外频繁传来关于InGaN基红光Micro LED技术突破的消息。如今，晶能光电成功制备硅衬底红光Micro LED，在实现Micro LED全彩化上取得了关键性的突破。据晶能光电芯片副总监黄涛介绍，本次制备的硅衬底InGaN红、绿、蓝Micro LED阵列像素点间距为25微米，像素密度为1000PPI，在10A/cm2电流密度下的峰值波长分别为650nm、531nm、和445nm。其中，InGaN红光芯片的外量子效率（36mil，650nm峰值波长）为3.5%，EL的半高宽为70nm。图为晶能光电展示的硅衬底GaN基RGB Micro LED阵列
这一成果的发布标志晶能成为国内首家实现硅衬底GaN基三基色Micro LED的企业，对于实现国内Micro LED的商用化具有重要的推动作用。
事实上，晶能光电一直专注硅衬底GaN基LED技术开发，目前其硅衬底GaN基LED产品已经覆盖了从365nm到660nm的可见光范围，并且实现了较高的量产良率、波长集中度、光效、和可靠性。2018年，晶能光电开始硅衬底Micro LED的研发工作，并看好硅衬底GaN基Micro LED在AR/VR产业上的巨大应用前景。图为晶能光电展示的硅衬底GaN基RGB Micro LED归一化光谱
图为晶能光电展示的36mil尺寸硅衬底GaN基红光LED光谱晶能光电表示，未来相关厂商需持续努力解决诸如InGaN红光光效、发光半高宽、以及最终的全彩化方案等关键问题。同时，还需要与产业链的厂商形成联动作用，通过整个产业链的协同效应，共同推动Micro LED显示技术的规模应用。
